Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 65,7 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +16 V., Longitud: 3.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Vishay MOSFET SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines,, config.
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Vishay MOSFET SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SiSS05DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 108 A, PowerPAK 1212-8S De 8 Pines,, Config. Simple | |
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