Onsemi MOSFET FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 MA, 700 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
About The 3V, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Aislado, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 442 MΩ, 700 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0
onsemi MOSFET FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 mA, 700 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Canal: N, P, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 442 MΩ, 700 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 0.3V, Disipación de Potencia Máxima: 300 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -12 V, +12 V, Longitud: 2mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 MA, 700 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado
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Specifications of Onsemi MOSFET FDG6332C, VDSS 20 V, ID 600 MA, 700 MA, SOT-363 De 6 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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