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Vishay Diodo, VS-40CPQ100-N3, Rectificador Schottky, 40A, 100V Schottky, TO-247AC, 3-Pines 910mV

About The Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 40A, 100V Schottky, TO-247AC, 3-Pines 910mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 3kA, MPN: VS-40CPQ100-N3

Vishay Diodo, Rectificador Schottky, 40A, 100V Schottky, TO-247AC, 3-Pines 910mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Cátodo común, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 3kA, MPN: VS-40CPQ100-N3

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Vishay Diodo, VS-40CPQ100-N3, Rectificador Schottky, 40A, 100V Schottky, TO-247AC, 3-Pines 910mV

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Specifications of Vishay Diodo, VS-40CPQ100-N3, Rectificador Schottky, 40A, 100V Schottky, TO-247AC, 3-Pines 910mV

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Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 34 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Texas Instruments Circuito integrado de controlador de carga de batería, CI de controlador de carga de batería, Plomo-ácido, LiFePO4, ion, Tipo de Batería: Plomo-ácido, LiFePO4, ion litio, polímero de litio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Interfaz: Circuito integrado de controladores de carga de batería, Tipo de Encapsulado: VQFN, Conteo de Pines: 16, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 5 a 28 V, Dimensiones: 3.6 x 3.6 x 0.95mm, Longitud: 3.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tensión de Salida Máxima: 2,1 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: BQ24650RVAT
    • Nichicon Condensador electrolítico serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V dc, de encaje a presión, 30 (Dia.) x 15mm, paso 10mm, Capacitancia: 330µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 30mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 680 μA, Corriente de Rizado: 1A, MPN: LGJ2C331MELB15
    • onsemi Transistor MOSFET & Diodo NTBG160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 19,5 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 225 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V
    • onsemi Transistor MOSFET & Diodo NTBG160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 19,5 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 225 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V