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Nichicon Condensador Electrolítico Serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V Dc, De Encaje A Presión, 30 (Dia.) X 15mm, Paso 10mm

About The ) x 15mm, paso 10mm, Capacitancia: 330µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 30mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 680 μA, Corriente de Rizado: 1A, MPN: LGJ2C331MELB15.Nichicon Condensador electrolítico serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V dc, de encaje a presión, 30 (Dia

Nichicon Condensador electrolítico serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V dc, de encaje a presión, 30 (Dia.) x 15mm, paso 10mm, Capacitancia: 330µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 30mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 680 μA, Corriente de Rizado: 1A, MPN: LGJ2C331MELB15

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Nichicon Condensador Electrolítico Serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V Dc, De Encaje A Presión, 30 (Dia.) X 15mm, Paso 10mm

onsemi Transistor MOSFET & Diodo NTBG160N120SC1, VDSS 1.200 V, ID 19,5 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 225 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V
Texas Instruments Circuito integrado de controlador de carga de batería, CI de controlador de carga de batería, Plomo-ácido, LiFePO4, ion, Tipo de Batería: Plomo-ácido, LiFePO4, ion litio, polímero de litio, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Interfaz: Circuito integrado de controladores de carga de batería, Tipo de Encapsulado: VQFN, Conteo de Pines: 16, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Típica: 5 a 28 V, Dimensiones: 3.6 x 3.6 x 0.95mm, Longitud: 3.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Tensión de Salida Máxima: 2,1 V, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: BQ24650RVAT
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Specifications of Nichicon Condensador Electrolítico Serie GJ15, 330μF, ±20%, 160V Dc, De Encaje A Presión, 30 (Dia.) X 15mm, Paso 10mm

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Vishay Diodo, Rectificador de recuperación, 85A, 600V Conexión de silicio, 200 ns, 500 ns, DO-203AB, 2-Pines 1.75V, Tipo de Montaje: Montaje roscado, Configuración de diodo: Tornillo prisionero de ánodo, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 1.4kA, MPN: VS-85HFR60
    • Norgren Pistola de soplado BG5000, toma de aire G 1/4plg, presión máx. 10bar

    Norgren Pistola de soplado BG5000, toma de aire G 1/4plg, presión máx. 10bar

    10bar, Presión de Salida: 0 → 10bar, Tipo: Pistola de plástico, Temperatura de funcionamiento máxima: 80°C.

    • onsemi MOSFET NTP5D0N15MC, VDSS 150 V, ID 139 A, TO-220 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 5 mΩ, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Serie: PowerTrench
    • Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 34 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.

    • Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

    Vishay MOSFET SI4909DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 6,5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.