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Onsemi MOSFET NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 170 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.onsemi MOSFET NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config

onsemi MOSFET NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 170 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Disipación de Potencia Máxima: 2,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -8 V, +8 V, Longitud: 3.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NTHD4102PT1G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Onsemi MOSFET NTHD4102PG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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