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INA Rodamiento De Rodillos De Aguja De Acero, Ø Int. 30mm, Ø Ext. 37mm, Ancho 16mm

About The 37mm, ancho 16mm, Tipo de Rodamiento de Rodillo: Aguja de copa estriada, Tipo de Calibre: Paralelo, Valor Nominal de Carga Estática: 18200N, Material de la Rejilla: Chapa, Valor Nominal de Carga Dinámico: 12100N, Tipo de Extremo: Sellado, Carga Límite de Fatiga: 2440N, MPN: HK3016-2RS-L271.INA Rodamiento de rodillos de aguja de Acero, Ø int

37mm, ancho 16mm, Tipo de Rodamiento de Rodillo: Aguja de copa estriada, Tipo de Calibre: Paralelo, Valor Nominal de Carga Estática: 18200N, Material de la Rejilla: Chapa, Valor Nominal de Carga Dinámico: 12100N, Tipo de Extremo: Sellado, Carga Límite de Fatiga: 2440N, MPN: HK3016-2RS-L271 30mm, Ø ext. INA Rodamiento de rodillos de aguja de Acero, Ø int.

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INA Rodamiento De Rodillos De Aguja De Acero, Ø Int. 30mm, Ø Ext. 37mm, Ancho 16mm

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Specifications of INA Rodamiento De Rodillos De Aguja De Acero, Ø Int. 30mm, Ø Ext. 37mm, Ancho 16mm

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Rating :- 9.42 /10
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ETA Disyuntor térmico / Disyuntor magnetotérmico 2 5700 de 1 polo, 250V, 25A, Anchura: 15.7mm, Tipo de reinicio del actuador: Botón, Tipo de Montaje: Montaje en Panel, Profundidad total: 46.5mm, Dimensiones totales: 29 x 14.5 x 46.5mm, Longitud Total: 29mm, Anchura total: 31mm, MPN: 2-5700-IG2-P10-DD-000040-25A
    • Siemens Unidad de conexión 8US1251-5DT11 SENTRON para uso con Disyuntor barra de bus

    Siemens Unidad de conexión 8US1251-5DT11 SENTRON para uso con Disyuntor barra de bus

    Siemens Unidad de conexión 8US1251-5DT11 SENTRON para uso con Disyuntor barra de bus.

    • Rubycon Condensador electrolítico serie ZL, 100μF, ±20%, 25V dc, Radial, Orificio pasante, 6.3 (Dia.) x 11mm, paso 2.5mm, Capacitancia: 100µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 6.3mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Vida Útil: 2000h, Corriente de Pérdida: 0,01 CV o 3 μA, Corriente de Rizado: 405mA, MPN: 25ZL100MEFC6.3X11
    • onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 31,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.

    • onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

    1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Doble, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 31,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.onsemi MOSFET NVMFD6H852NLWFT1GOS, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 6.