Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 12 meses, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.5V, Disipación de Potencia Máxima: 28 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Tensión de diodo directa: 1.2V onsemi MOSFET NTMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines,, config.
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Onsemi MOSFET NTMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET NTMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 De 4 Pines,, Config. Simple | |
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