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Siemens Relé De Potencia Sin Enclavamiento Sirius LZS, Bobina 24V Dc, 16A

About The Siemens Relé de potencia sin enclavamiento Sirius LZS, bobina 24V dc, 16A, Enclavamiento: No, Potencia de la Bobina: 400mW, MPN: LZX:RT314024

Siemens Relé de potencia sin enclavamiento Sirius LZS, bobina 24V dc, 16A, Enclavamiento: No, Potencia de la Bobina: 400mW, MPN: LZX:RT314024

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Relés y Acondicionamiento de Señales > Relés > Relés de Potencia

Siemens Relé De Potencia Sin Enclavamiento Sirius LZS, Bobina 24V Dc, 16A

STMicroelectronics Transistor, NPN 1 A 250 V TO-220, 3 pines, 10 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 30, Tensión Base Máxima del Colector: 350 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V, Dimensiones: 9.15 x 10.4 x 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: TIP47
onsemi Transistor, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Base Máxima del Colector: 100 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD140G
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Specifications of Siemens Relé De Potencia Sin Enclavamiento Sirius LZS, Bobina 24V Dc, 16A

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Texas Instruments MC3486N, PDIP 16 pines, Interfaz: Circuito integrado del receptor de línea, Tipo de Entrada: Diferencial, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Ancho: 6.35mm, Estándares de Interfaz: EIA/TIA-422-B, EIA/TIA-423-B, RS-422, RS-423, V.10, V.11, Longitud: 19.3mm
    • IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.

    • IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 660 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 7.5V 1
    • onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 7.5V 1

    onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 7.5V 1

    68mm, Dimensiones: 3.68 Dia.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 7.89mm Simple 1A 1.