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Onsemi Transistor, BD140G, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 Pines, Simple

About The 8 x 3 x 11.5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Base Máxima del Colector: 100 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7

onsemi Transistor, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 pines, Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W, Ganancia Mínima de Corriente DC: 40, Tensión Base Máxima del Colector: 100 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V dc, Dimensiones: 7.8 x 3 x 11.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BD140G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares

Onsemi Transistor, BD140G, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 Pines, Simple

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Specifications of Onsemi Transistor, BD140G, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 Pines, Simple

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Onsemi Transistor, BD140G, PNP -1,5 A -80 V TO-225, 3 Pines, Simple
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nVent SCHROFF Caja de montaje en rack de 19" 3U serie propacPro, de Aluminio, 155 x 363 x 386mm, Altura Externa: 155,5 mm, Anchura Externa: 363,7 mm, Color: Gris, Blanco, Profundidad del Marco: 353.5mm, MPN: 14576-145
    • Texas Instruments MC3486N, PDIP 16 pines, Interfaz: Circuito integrado del receptor de línea, Tipo de Entrada: Diferencial, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Ancho: 6.35mm, Estándares de Interfaz: EIA/TIA-422-B, EIA/TIA-423-B, RS-422, RS-423, V.10, V.11, Longitud: 19.3mm
    • IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config.

    • IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 660 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.

    • IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXTH48N65X2, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247 de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 65 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 660 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 16.13mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.