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Onsemi 3.68 (Dia.) X 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje En Orificio Pasante 7.5V 1

About The 2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.) x 8

x 8.89mm onsemi 3.68 (Dia.) x 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje en orificio pasante 7.5V 1, Tipo de Encapsulado: CASE 017AA, Tipo de Zener: Regulador de tensión, Tolerancia de Tensión de Zener: ±5%, Corriente de Fugas Inversa Máxima: 10µA, Diámetro: 3.68mm, Dimensiones: 3.68 Dia.

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Diodos Zener

Onsemi 3.68 (Dia.) X 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje En Orificio Pasante 7.5V 1

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Specifications of Onsemi 3.68 (Dia.) X 8.89mm Simple 1A 1.2V 1N5343BG +200 °C 5 W 10μA 1.5Ω -65 °C Montaje En Orificio Pasante 7.5V 1

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IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple

IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple

IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 32 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V.

    • nVent SCHROFF Caja de montaje en rack de 19" 3U serie propacPro, de Aluminio, 155 x 363 x 386mm, Altura Externa: 155,5 mm, Anchura Externa: 363,7 mm, Color: Gris, Blanco, Profundidad del Marco: 353.5mm, MPN: 14576-145
    • Texas Instruments MC3486N, PDIP 16 pines, Interfaz: Circuito integrado del receptor de línea, Tipo de Entrada: Diferencial, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Dimensiones: 19.3 x 6.35 x 4.57mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +70 °C, Ancho: 6.35mm, Estándares de Interfaz: EIA/TIA-422-B, EIA/TIA-423-B, RS-422, RS-423, V.10, V.11, Longitud: 19.3mm
    • IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    IXYS MOSFET IXFK100N65X2, VDSS 650 V, ID 100 A, TO-264P de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 30 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2.7V, Disipación de Potencia Máxima: 1,04 kW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 20.