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IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F De 3 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 32 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V

IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 550 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 32 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Tensión de diodo directa: 1.4V

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Specifications of IXYS MOSFET IXTP8N65X2M, VDSS 650 V, ID 4 A, TO-220F De 3 Pines,, Config. Simple

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