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Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

About The Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1, Serie: OptiMOS

Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,0082 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Número de Elementos por Chip: 1, Serie: OptiMOS

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Infineon MOSFET IPB80N06S2L09ATMA2, VDSS 55 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

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