Taiwan Semiconductor MOSFET TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 De 8 Pines
About The Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.Taiwan Semiconductor MOSFET TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 de 8 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 m
Taiwan Semiconductor MOSFET TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 de 8 pines, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 22 m.Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: TSM025
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Taiwan Semiconductor MOSFET TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 De 8 Pines
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Specifications of Taiwan Semiconductor MOSFET TSM220NB06LCR, VDSS 60 V, ID 35 A, PDFN56 De 8 Pines | |
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