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Infineon MOSFET IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1,9 A, TO-252 De 3 Pines

About The 8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.Infineon MOSFET IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1,9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2

Infineon MOSFET IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1,9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2.8 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.9V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

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Infineon MOSFET IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1,9 A, TO-252 De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPD80R2K8CEATMA1, VDSS 80 V, ID 1,9 A, TO-252 De 3 Pines

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