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Onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

About The onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1

onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.5mm, MPN: NTMD4N03R2G

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Specifications of Onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado

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Phoenix Contact Bloque de distribución, 19 vías, 32A, 690 V, Tamaño del Cable: 12 AWG, Material de la Carcasa: Poliamida, Cable CSA: 4mm², Color: Amarillo, MPN: 3273130
    • ABB Interruptor seccionador, 6 polos, 2 NA / 2 NC, Corriente 125A, Potencia 45kW, IP65 1SCA022401R6700, Tipo de Montaje: Montaje Roscado, Serie: OTP, MPN: ABB1SCA022401R6700
    • ABB Interruptor seccionador, 6 polos, 2 NA / 2 NC, Corriente 125A, Potencia 45kW, IP65 1SCA022430R2380, Tipo de Montaje: Montaje Roscado, Serie: OTP, MPN: ABB1SCA022430R2380
    • TE Connectivity Resistencia SMD, 102Ω, ±1%, 2W, Película Fina, 1206 (3216M), MPN: 3503G2B102RFTDF

    TE Connectivity Resistencia SMD, 102Ω, ±1%, 2W, Película Fina, 1206 (3216M), MPN: 3503G2B102RFTDF

    TE Connectivity Resistencia SMD, 102Ω, ±1%, 2W, Película Fina, 1206 (3216M).

    • TE Connectivity Conector SCSI,, Macho, 20 contactos, Montaje de Cable, Ángulo recto, paso 1.27mm, Orientación del Cuerpo: Recta, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Revestimiento del Contacto: Oro, Oro sobre Níquel Paladio, Material de la Carcasa: Termoplástico, Valor Nominal de Corriente: 1A, Tensión Nominal: 30 Vac, Método de Terminación: IDC, Longitud: 21.06mm, Profundidad: 14.94mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -55°C, MPN: 5749111-1
    • ABB Interruptor seccionador, 3P, 2 NA / 2 NC, Corriente 16A, Potencia 7,5kW, IP65 1SCA022562R1850, Tipo de Montaje: Montaje Roscado, Serie: OTL, MPN: 1SCA022562R1850 OTL16BA3M
    • onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config.

    • onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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    5mm, MPN: NTMD4N03R2G.onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.

    • onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

    onsemi MOSFET NTLJD3119CTBG, VDSS 20 V, ID 4,1 A, 4,6 A, WDFN de 6 pines, 2elementos, config.

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    onsemi MOSFET NTMD4N03G, VDSS 30 V, ID 4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config.5mm, MPN: NTMD4N03R2G. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 80 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.