Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 De 3 Pines

Name: Infineon - Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 De 3 Pines
Brand: Infineon
SKU: ABDW-175249
Price: 108.17 EUR
Availability: InStock

About The Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines

Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 de 3 pines

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5m, 60 V, 4 A,, Serie: SAC-5P-M12MS/5.0-92X/M12FSSHOD, Área Transversal: (Señal) 0,25 mm², (alimentación) 0,34 mm², (cable de drenaje) 0,38 mm², Color de la Funda: Negro, Material de la Funda: Pirorretardante no corrosivo FRNC, Conector 1 Orientación: Recto, MPN: 1410470

EDAC Conector D-sub, Serie 516, Recto, Hembra, 8.5A, Número de Contactos: 56, Longitud: 65.84mm, Anchura: 22.25mm, Profundidad: 80.95mm, Material del Contacto: Bronce Fosforado, Revestimiento del Contacto: Oro, Dimensiones: 65.84 x 22.25 x 80.95mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +105°C, Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65°C, MPN: 516-056-000-402

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Specifications of Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 De 3 Pines
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Last Updated January 12th, 2025 10:50 pm

Infineon MOSFET IPD90N08S405ATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, TO-252 De 3 Pines

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Vishay Rectificador y diodo Schottky, 75A, 600V, TO-247AD 3L, Diodo epitaxial de recuperación rápida, MPN: VS-E5PX7606L-N3

Vishay Rectificador y diodo Schottky, VS-E5PX7606L-N3, 75A, 600V, TO-247AD 3L, Diodo epitaxial de recuperación rápida.

Phoenix Contact Bloque de terminal PCB de 4 vías, paso 5.08mm, 12A, de color Verde, montaje Montaje en orificio, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Tornillo, Tipo: Bloque de terminales PCB, Tensión Nominal: 630 V, Serie: SMKDSNF 1.5/ 4-5.08, Longitud: 16mm, Material: Poliamida, MPN: 1877504

08mm, 12A, de color Verde, montaje Montaje en orificio.

Phoenix Contact Borne enchufable para PCB serie IMCV 1.5/12-G-3.81 de 12 vías, paso 3.81mm, para soldar, Tipo de borne enchufable para PCB: Conector invertido, Orientación del Cuerpo: Recto, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Método de Terminación: Soldador, Valor Nominal de Corriente: 8.0A, Tensión Nominal: 320,0 V., Material del Contacto: Estaño, MPN: 1875522

81 de 12 vías, paso 3.

Infineon MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

Infineon MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines.

Infineon MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

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Vishay Rectificador y diodo Schottky, 75A, 600V, TO-247AD 3L, Diodo epitaxial de recuperación rápida, MPN: VS-E5PX7606L-N3

Infineon MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

Infineon MOSFET IPD60R280CFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 9 A, TO-252 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,28 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS