Infineon MOSFET IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 9,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 150 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: 20 V, Longitud: 6.73mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C
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Infineon MOSFET IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET IPD053N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 90 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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