Infineon MOSFET IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 170 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.5mm
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Infineon MOSFET IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado
Specifications of Infineon MOSFET IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC De 8 Pines, 2elementos, Config. Aislado | |
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