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Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 De 3 Pines

About The Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,31 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,31 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 De 3 Pines

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Specifications of Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 De 3 Pines

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Infineon MOSFET IPB65R310CFDAATMA1, VDSS 600 V, ID 11,4 A, TO 263 De 3 Pines
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Festo Actuador lineal eléctrico EGSC-BS, 500mm/s, 50mm, Tipo de actuador: Actuador lineal micro, Par sin carga: 0.013 nm, MPN: EGSC-BS-KF-32-50-8P
    • Keysight Technologies Multímetro U1232A, calibrado UKAS, 600V ac/600V dc, 10A ac/10A dc, TRMS, CAT III, Tipo de Multímetro: De Mano, Tipo de Display: Digital, Funciones Medidas: Corriente AC, Tensión AC, Capacitancia, Continuidad, Corriente DC, Tensión DC, Diodo, Frecuencia, Resistencia, Temperatura, Medición de Resistencia Máxima Absoluta: 60MΩ, Medición de Capacitancia Máxima Absoluta: 10mF, Medición de Temperatura Máxima Absoluta: +1372°C, Frecuencia Máxima: 1kHz, Resolución de Medición de Corriente AC: 0.01µA ac, Resolución de Medición de Corriente DC: 0.01µA dc
    • TE Connectivity Resistencia SMD, 3.01kΩ, ±0.1%, 0.063W, Película Fina, 0402 (1005M) 25V, Serie CPF, Coeficiente de Temperatura: ±25ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: CPF0402B3K01E1
    • Infineon MOSFET IPB65R110CFDAATMA1, VDSS 650 V, ID 31,2 A, TO 263 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.11 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS
    • Infineon MOSFET IPB65R110CFDAATMA1, VDSS 650 V, ID 31,2 A, TO 263 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.11 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.5V, Material del transistor: Silicio, Serie: CoolMOS