Infineon MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,015 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.1V, Material del transistor: Silicio, Serie: OptiMOSTM3
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Infineon MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 X 3 De 8 Pines
Specifications of Infineon MOSFET BSZ150N10LS3GATMA1, VDSS 100 V, ID 40 A, PQFN 3 X 3 De 8 Pines | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |