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Infineon MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Infineon MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 8,9 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Infineon MOSFET BSC047N08NS3GATMA1, VDSS 80 V, ID 100 A, TDSON De 8 Pines,, Config. Simple

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