Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR106E6327HTSA1, NPN 210 MA 16 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple
About The 3 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFR106E6327HTSA1.9 x 1
Infineon Transistor bipolar de RF, NPN 210 mA 16 V SOT-23, 3 pines, 5 GHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 700 mW, Tensión Base Máxima del Colector: 20 V, Tensión Máxima Emisor-Base: 3 V, Dimensiones: 2.9 x 1.3 x 1mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: BFR106E6327HTSA1
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Transistores Bipolares
Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR106E6327HTSA1, NPN 210 MA 16 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple
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Specifications of Infineon Transistor Bipolar De RF, BFR106E6327HTSA1, NPN 210 MA 16 V SOT-23, 3 Pines, 5 GHz, Simple | |
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