onsemi MOSFET FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 380 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mÃnima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 125 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Onsemi MOSFET FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Onsemi MOSFET FCB11N60TM, VDSS 600 V, ID 11 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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