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Eclipse Iman De Neodimio, Rectangular, Ancho 10mm, Long. 25mm, Espesor 3mm, Fuerza De Tracción 4.7kg

About The 25mm, espesor 3mm, fuerza de tracción 4.Eclipse Iman de neodimio, rectangular, ancho 10mm, long

Eclipse Iman de neodimio, rectangular, ancho 10mm, long. 25mm, espesor 3mm, fuerza de tracción 4.7kg, Tipo de Accesorio: Ninguno, MPN: N817

Ferretería & Transmisión y Potencia Mecánica & Neumática Industrial > Tornillería y Fijaciones > Imanes y Bandas Magnéticas > Imanes de Neodimio

Eclipse Iman De Neodimio, Rectangular, Ancho 10mm, Long. 25mm, Espesor 3mm, Fuerza De Tracción 4.7kg

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Specifications of Eclipse Iman De Neodimio, Rectangular, Ancho 10mm, Long. 25mm, Espesor 3mm, Fuerza De Tracción 4.7kg

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Eclipse Iman De Neodimio, Rectangular, Ancho 10mm, Long. 25mm, Espesor 3mm, Fuerza De Tracción 4.7kg
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Eclipse Imán Acero, fuerza 0.4kg, encapsulado alargado, Ø 8mm, Grosor: 20mm, Tipo de Accesorio: Ninguno, MPN: E791
    • STMicroelectronics ST485ERBDR, SOIC 8 pines, Número de Transmisores: 1, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Alimentación Única Típica: Máximo de 7 V, Transmisión de Datos: 2.5Mbps, Estándares de Interfaz: RS-422, RS-485, Tipo de Señal de Transmisor: Diferencial, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Dimensiones: 5 x 4 x 1.65mm
    • STMicroelectronics Módulo de potencia inteligente, N-Canal, 18 A, 600 V, SDIP, 25-Pines, Configuración: Trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Disipación de Potencia Máxima: 52 W, Dimensiones: 44.9 x 22.5 x 7.5mm, Longitud: 44.9mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Ancho: 22.5mm, MPN: STGIPS20K60
    • STMicroelectronics MOSFET SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines,, config. Simple

    200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 270 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +25 V, Longitud: 15.

    • STMicroelectronics MOSFET SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines,, config. Simple

    STMicroelectronics MOSFET SCT30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines,, config. Simple

    75mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +200 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 100 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Disipación de Potencia Máxima: 270 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -10 V, +25 V, Longitud: 15.