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Infineon Transistor Darlington, BCV47E6327HTSA1, NPN 500 MA, 60 V, HFE:2000, SOT-23, 3 Pines Simple

About The 0001mA, Dimensiones: 2.Infineon Transistor Darlington, NPN 500 mA, 60 V, HFE:2000, SOT-23, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 10 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 1,5 V, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0

Infineon Transistor Darlington, NPN 500 mA, 60 V, HFE:2000, SOT-23, 3 pines Simple, Tensión Máxima Emisor-Base: 10 V, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor: 1,5 V, Tensión Base Máxima del Colector: 80 V, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1 V, Corriente de Corte Máxima del Colector: 0.0001mA, Dimensiones: 2.9 x 1.3 x 1mm, MPN: BCV47E6327HTSA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > Pares Darlington

Infineon Transistor Darlington, BCV47E6327HTSA1, NPN 500 MA, 60 V, HFE:2000, SOT-23, 3 Pines Simple

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Specifications of Infineon Transistor Darlington, BCV47E6327HTSA1, NPN 500 MA, 60 V, HFE:2000, SOT-23, 3 Pines Simple

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