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ROHM MOSFET R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

About The ROHM MOSFET R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,4 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

ROHM MOSFET R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,4 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of ROHM MOSFET R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) De 3 Pines

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