Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 4,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 142 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±20 V, Longitud: 5mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Toshiba MOSFET TPW4R50ANH, VDSS 100 V, ID 92 A, DSOP de 8 pines,, config.
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Toshiba MOSFET TPW4R50ANH, VDSS 100 V, ID 92 A, DSOP De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TPW4R50ANH, VDSS 100 V, ID 92 A, DSOP De 8 Pines,, Config. Simple | |
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