onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 1200 V, Tipo de Encapsulado: D2PAKâˆ7L, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.028 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC
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Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines
Specifications of Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines | |
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