reorder
business-to-business.mybogy.online
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New

Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines

About The 028 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 1200 V, Tipo de Encapsulado: D2PAKâˆ7L, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0

onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines, Tensión Máxima Drenador-Fuente: 1200 V, Tipo de Encapsulado: D2PAKâˆ7L, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0.028 O, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.3V, Material del transistor: SiC

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Specifications of Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines

Category
Instockinstock

Last Updated

Onsemi MOSFET NVBG020N120SC1OS, VDSS 1.200 V, ID 98 A, D2PAK (TO-263) De 7 Pines
More Varieties

Rating :- 9.83 /10
Votes :- 41