Toshiba MOSFET TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 255 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.Toshiba MOSFET TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines,, config
Toshiba MOSFET TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,4 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 255 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.16mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Toshiba MOSFET TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Toshiba MOSFET TK100E10N1, VDSS 100 V, ID 207 A, TO-220 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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