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Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252

About The Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252, MPN: IPD60R950C6ATMA1

Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252, MPN: IPD60R950C6ATMA1

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252

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Specifications of Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252

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Infineon Transistor MOSFET, ID 4,4 A, PG-TO252
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Panasonic Resistencia SMD, 51Ω, ±1%, 0.25W, Película Gruesa, 1206 (3216M), Serie ERJ, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: ERJ8ENF51R0V
    • Panasonic Resistencia SMD, 523Ω, ±1%, 0.25W, Película Gruesa, 1206 (3216M), Serie ERJ, Coeficiente de Temperatura: ±100ppm/°C, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -55°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +155°C, MPN: ERJ8ENF5230V
    • RS PRO, corte máx. 1,3 mm

    RS PRO, corte máx. 1,3 mm

    1,3 mm, Número de Piezas: 2, Aprobado VDE/1000V: No, Material: Acero al Carbono, Capacidad de Corte del Material: Hilo de Cobre.RS PRO, corte máx.

    • Nexperia Diodo, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-323 (SC-70), 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 600mA, MPN: BAT54CW,115
    • Nexperia Diodo, 200mA, 30V Barrera Schottky, 5ns, SOT-323 (SC-70), 3-Pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Configuración de diodo: Cátodo común, Tipo de Rectificador: Diodo Schottky, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 600mA, MPN: BAT54CW,115