Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,5 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Disipación de Potencia Máxima: 45 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C Toshiba MOSFET TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS de 3 pines,, config.
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Toshiba MOSFET TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Toshiba MOSFET TK56A12N1,S4X(S, VDSS 120 V, ID 56 A, TO-220SIS De 3 Pines,, Config. Simple | |
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