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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, SOT-223 De 3 Pines

About The , Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Serie: CoolMOS P7.Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, SOT-223 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,6 O

Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, SOT-223 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,6 O., Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 4V, Serie: CoolMOS P7

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, SOT-223 De 3 Pines

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Specifications of Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, SOT-223 De 3 Pines

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