Infineon MOSFET BSZ050N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 7,8 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2.2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 50 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.1mm
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Infineon MOSFET BSZ050N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Infineon MOSFET BSZ050N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 40 A, TSDSON De 8 Pines,, Config. Simple | |
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