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Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 820nm, Mont. Superficial, Encapsulado QFN De 4 Pines

About The 9mm, Estándar de automoción: AEC-Q101, Tensión de ruptura: 20V, MPN: VEMD5060X01.Vishay Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx

Vishay Fotodiodo de silicio, IR, λ sensibilidad máx. 820nm, mont. superficial, encapsulado QFN de 4 pines, Espectro(s) Detectado(s): Infrarrojo, Función de amplificador: No, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Mínima Longitud de Onda Detectada: 350nm, Tiempo de Bajada Típico: 30ns, Longitud: 5mm, Anchura: 4mm, Altura: 0.9mm, Estándar de automoción: AEC-Q101, Tensión de ruptura: 20V, MPN: VEMD5060X01

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Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 820nm, Mont. Superficial, Encapsulado QFN De 4 Pines

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Specifications of Vishay Fotodiodo De Silicio, IR, λ Sensibilidad Máx. 820nm, Mont. Superficial, Encapsulado QFN De 4 Pines

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