Vishay MOSFET SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 33 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.4V, Disipación de Potencia Máxima: 5 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Altura: 1.55mm
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Vishay MOSFET SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SI4178DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOIC De 8 Pines,, Config. Simple | |
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