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Microchip Microcontrolador PIC12F519-I/SN, Núcleo PIC De 8bit, RAM 41 B, 8MHZ, SOIC De 8 Pines

About The Microchip Microcontrolador PIC12F519-I/SN, núcleo PIC de 8bit, RAM 41 B, 8MHZ, SOIC de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 1.024 palabras

Microchip Microcontrolador PIC12F519-I/SN, núcleo PIC de 8bit, RAM 41 B, 8MHZ, SOIC de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 1.024 palabras

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Fiamm Batería de plomo ácido, 12V 9Ah, VRLA AGM, terminales Faston F2, Dimensiones: 151 x 65 x 95mm, Peso: 2.7kg, Diseñado para aplicaciones periódicas: Sí, Diseñado para aplicaciones intensivas: No, Clasificación Eurobat: 3 a 5 años, Rango de Temperatura de Funcionamiento: Maximum of +25°C, MPN: 12FGH36
    • Microchip Microcontrolador PIC16F883-I/SS, núcleo PIC de 8bit, RAM 256 B, 20MHZ, SSOP de 28 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 4.096 palabras
    • Microchip Microcontrolador PIC16F886-I/SS, núcleo PIC de 8bit, RAM 368 B, 20MHZ, SSOP de 28 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tamaño de la Memoria del Programa: 8.192 palabras
    • Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config.7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.

    • Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple

    7mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 540 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3,1 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 6.Vishay MOSFET IRFL110TRPBF, VDSS 100 V, ID 1,5 A, SOT-223 de 3 pines,, config.