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Igus Canalización De Cables E1.18 De Plástico Negro, 15 Mm X 18mm, Long. 1m, Radio Curvatura 28 Mm

About The 18 de Plástico Negro, 15 mm x 18mm, long.028

1m, radio curvatura 28 mm, Tipo de Cadena/Conducción: Cadena de cable, Tipo de Ranuras: Flexible, MPN: E1.18.015.028.0 Igus Canalización de cables E1.18 de Plástico Negro, 15 mm x 18mm, long.

Automatización Industrial & Distribución de Baja Tensión Eléctrica > Cables y Conductores > Gestión del Cableado > Canalizaciones para Cables

Igus Canalización De Cables E1.18 De Plástico Negro, 15 Mm X 18mm, Long. 1m, Radio Curvatura 28 Mm

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Specifications of Igus Canalización De Cables E1.18 De Plástico Negro, 15 Mm X 18mm, Long. 1m, Radio Curvatura 28 Mm

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Omron Sensor de proximidad, alcance 2 mm, salida NPN, 10 → 30 V dc, IP67, 3kHz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: Cable, Longitud: 36mm, Anchura: 6.5mm, Tensión DC Máxima: 30V, Tipo de Montaje: No enrasado, Corriente de Conmutación: 200 mA, Material de la Carcasa: Acero inoxidable, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, MPN: E2E-C06S02-WC-C1 2M
    • CHEMI-CON Condensador electrolítico serie KY, 1500μF, ±20%, 6.3V dc, Radial, Orificio pasante, 10 (Dia.) x 20mm, paso, Capacitancia: 1500µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 10mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 5mm, Vida Útil: 6000h, Resistencia de Serie Equivalente: 46mΩ, Corriente de Pérdida: 94,5 μA, Corriente de Rizado: 1400mArms, MPN: EKY-6R3ELL152MJ20S
    • onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C.onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.

    • onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3130 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3130 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.