Onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3130 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config
onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3130 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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