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Onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

About The 67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10

onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple

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RS PRO Resistencia de montaje en panel, 68Ω ±5% 500W, Con carcasa de aluminio, Cable, Bobinado, Serie: R500, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +250°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -200ppm/°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +200ppm/°C, Dimensiones: 335 x 60 x 30mm, Longitud total: 335mm, Anchura total: 60mm
    • RS PRO Resistencia de montaje en panel, 10Ω ±5% 400W, Con carcasa de aluminio, Cable, Bobinado, Serie: R400, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +250°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -200ppm/°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +200ppm/°C, Dimensiones: 265 x 60 x 30mm, Longitud total: 265mm, Anchura total: 60mm
    • Orn Chaqueta impermeable, 5XL, Resistente al agua, Tipo de ropa: Chaqueta Softshell, Material exterior: Poliéster, MPN: 4600/B/5XL
    • RS PRO Resistencia de montaje en panel, 3.3Ω ±5% 300W, Con carcasa de aluminio, Cable, Bobinado, Serie: R300, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -25°C, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +250°C, Mínimo Coeficiente de Temperatura: -200ppm/°C, Máximo Coeficiente de Temperatura: +200ppm/°C, Dimensiones: 215 x 60 x 30mm, Longitud total: 215mm, Anchura total: 60mm
    • Omron Sensor de proximidad, alcance 2 mm, salida NPN, 10 → 30 V dc, IP67, 3kHz, Tecnología de sensores: Inductivo, Tipo de Cuerpo: Cilíndrico, Tipo de Terminal: Cable, Longitud: 36mm, Anchura: 6.5mm, Tensión DC Máxima: 30V, Tipo de Montaje: No enrasado, Corriente de Conmutación: 200 mA, Material de la Carcasa: Acero inoxidable, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +70°C, MPN: E2E-C06S02-WC-C1 2M
    • CHEMI-CON Condensador electrolítico serie KY, 1500μF, ±20%, 6.3V dc, Radial, Orificio pasante, 10 (Dia.) x 20mm, paso, Capacitancia: 1500µF, Tecnología: Aluminio electrolítico, Mínima Temperatura de Funcionamiento: -40°C, Diámetro: 10mm, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +105°C, Paso del Pin: 5mm, Vida Útil: 6000h, Resistencia de Serie Equivalente: 46mΩ, Corriente de Pérdida: 94,5 μA, Corriente de Rizado: 1400mArms, MPN: EKY-6R3ELL152MJ20S
    • onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

    • onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

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    onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.

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    onsemi MOSFET FQB27P06TM, VDSS 60 V, ID 27 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +175 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 70 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 3750 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -25 V, +25 V, Longitud: 10.

    • onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple

    Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 3,6 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 3V, Disipación de Potencia Máxima: 3130 mW, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.9 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config.onsemi MOSFET FQB4N80TM, VDSS 800 V, ID 3.