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ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM De 3 Pines, Config. Simple

About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 580 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config

ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 580 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM De 3 Pines, Config. Simple

Microchip AEC-Q100 Memoria EEPROM serie 24LC1025-I/SN, 1Mbit, 128 x, 8bit, Serie 2 Cables, 900ns, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2.5 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Longitud: 4.9mm, Ancho: 6.0mm, Altura: 1.75mm, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.25mm, Data Retention: 200año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C
onsemi Diodo, 2A, 200V Conexión de silicio, 50ns, DO-15, 2-Pines 950mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Diámetro: 3.6mm, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 75A, MPN: EGP20D
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Specifications of ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM De 3 Pines, Config. Simple

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Amphenol Industrial Conector circular macho serie DeepTronica de 12 vías, Montaje en Panel, Tamaño del Conector: Micro, Conector Macho/Conector Hembra: Conector Macho, Método de Terminación: Precableado, MPN: DT-HCM-12RMM-RHA30
    • Sick Encoder incremental serie DBS36, 500ppr impulsos/rev, 6000rpm máx., interfaz Inserción-extracción, salida HTL, con, Tipo de Eje: Hueco ciego, Diámetro del Eje: 8mm, Tensión de Alimentación: 30 V, Pasos por Revolución: 90ppr, Índice de Protección IP: IP65, Altura Total: 37mm, Profundidad Total: 45.4mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C, MPN: 1062353
    • Sick Encoder incremental serie DBS36, 2500ppr impulsos/rev, 6000rpm máx., interfaz Inserción-extracción, salida, Tipo de Señal de Salida: HTL/Push Pull, Tipo de Eje: Eje sólido, Diámetro del Eje: 6mm, Tensión de Alimentación: 30 V, Índice de Protección IP: IP65, Altura Total: 36.7mm, Profundidad Total: 35.5mm, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -20°C, MPN: 1061133
    • Wurth Elektronik Carcasa de conector 648008113322, Serie WR-WTB, paso: 1.5mm, 8 contactos,, 1 fila filas, Recto, Hembra

    Wurth Elektronik Carcasa de conector 648008113322, Serie WR-WTB, paso: 1.5mm, 8 contactos,, 1 fila filas, Recto, Hembra

    Wurth Elektronik Carcasa de conector 648008113322, Serie WR-WTB, paso: 1.5mm, 8 contactos,, 1 fila filas, Recto, Hembra.

    • CML Innovative Technologies Indicador LED TA30XXXX, Verde, Ø montaje 6mm, 24V dc, IP67, Tamaño de lámpara: 7,5 mm, Tipo de Terminación: Cables de conexión, MPN: TA300313
    • onsemi Diodo, 2A, 200V Conexión de silicio, 50ns, DO-15, 2-Pines 950mV, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Configuración de diodo: Simple, Tipo de Rectificador: Uso General, Diámetro: 3.6mm, Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico: 75A, MPN: EGP20D
    • ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config. Simple

    ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config. Simple

    3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 580 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config.

    • Microchip AEC-Q100 Memoria EEPROM serie 24LC1025-I/SN, 1Mbit, 128 x, 8bit, Serie 2 Cables, 900ns, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2.5 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Longitud: 4.9mm, Ancho: 6.0mm, Altura: 1.75mm, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.25mm, Data Retention: 200año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C
    • ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config. Simple

    ROHM MOSFET R6009JNXC7G, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220FM de 3 pines, config. Simple

    3mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 580 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 7V, Tensión de umbral de puerta mínima: 5V, Disipación de Potencia Máxima: 53 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: ±30 V, Longitud: 10.

    • Microchip AEC-Q100 Memoria EEPROM serie 24LC1025-I/SN, 1Mbit, 128 x, 8bit, Serie 2 Cables, 900ns, 8 pines SOIC, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Organización: 128 x 8 bits, Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima: 2.5 V, Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento: 5.5 V, Longitud: 4.9mm, Ancho: 6.0mm, Altura: 1.75mm, Dimensiones: 4.9 x 3.9 x 1.25mm, Data Retention: 200año, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C