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Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 MA, TO-243AA De 4 Pines,, Config. Simple

About The 5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

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Specifications of Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 MA, TO-243AA De 4 Pines,, Config. Simple

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Sundstrom Equipo de respirador motorizado completo H06-7018, serie H06, Automático, 2 filtros, Tipo de producto de respirador: Ventilador de respirador, Cumplimiento normativo: EN 12941, EN 12942, ISO 9001
    • Vishay Resistencia, de 33kΩ ±1%, 0.6W, Serie MBB0207, Tecnología: Película Fina, Coeficiente de Temperatura: ±50ppm/°C, MPN: MBB02070C3302FCT00
    • KYOCERA AVX Condensador de tántalo TPSD227K004R0050, 220μF, ±10%, 4V dc, Montaje en Superficie, Encapsulado 7343-31,, Tecnología: MnO2, Capacitancia: 220µF, Resistencia de Serie Equivalente: 50mΩ, Longitud: 7.3mm, Profundidad: 4.3mm, Altura: 2.9mm, Dimensiones: 7.3 x 4.3 x 2.9mm, Tipo de Electrolito: Sólido, Máxima Temperatura de Funcionamiento: +125°C, Factor de Disipación: 8%
    • Sundstrom Manguera para aire comprimido H03-3120, longitud 20m, Diámetro Interno: 9.5mm, Diámetro externo: 19mm
    • RS PRO Pilas AA recargables NiMH, 1.2V, 2Ah, 8 unidades, Química: Níquel Metal Hidruro, Rango de Temperatura de Funcionamiento: -10 → +65°C, Descarga automática baja: Sí, Tipo de Terminal: Estándar
    • Recom Convertidor dc-dc 5W, Salida 5V dc, 1A, ±0.6% Sí, Rango de tensión de entrada: 9 → 18 V dc, Tensión de entrada nominal: 12 V dc, Tipo de montaje: Agujero pasante, Encapsulado: DIP, Tensión de aislamiento: 4kV dc, Profundidad: 10.2mm, Longitud:: 32mm, Ancho: 20.3mm, Serie: REC5, MPN: REC5-1205SRW/H4/A
    • Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple

    Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple

    Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.

    • Bourns Potenciómetro de 500kΩ, ±20%, 0.25W, serie PDB241-GTR, 1 módulo, Eje moleteado, eje de 6 mm de Ø, Montaje en Panel, Tipo de Potenciómetro: Giratorio, Curva de variación de resistencia: Audio, Material de elemento: Carbón, Estilo de Terminación: Orejeta de Soldadura, Longitud de eje: 27.5mm, MPN: PDB241-GTR03-504A2
    • Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple

    Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple

    5V, Disipación de Potencia Máxima: 1,6 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 4.Microchip MOSFET DN3535N8-G, VDSS 350 V, ID 230 mA, TO-243AA de 4 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 10 Ω, Modo de Canal: Reducción, Tensión de umbral de puerta máxima: 3.6mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Bourns Potenciómetro de 500kΩ, ±20%, 0.25W, serie PDB241-GTR, 1 módulo, Eje moleteado, eje de 6 mm de Ø, Montaje en Panel, Tipo de Potenciómetro: Giratorio, Curva de variación de resistencia: Audio, Material de elemento: Carbón, Estilo de Terminación: Orejeta de Soldadura, Longitud de eje: 27.5mm, MPN: PDB241-GTR03-504A2