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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

About The Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines

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Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines

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Infineon Transistor MOSFET & Diodo IPB031N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines
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WEG Contactor CWB de 3 polos, 1 NA + 1 NC, 65 A, bobina 230 V ac, 30 kW, Función: Inversión, MPN: CWB65-11-30D24
    • onsemi Transistor Darlington, ULQ2003ADG, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, SOIC, 16 pines Emisor común, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Número de Elementos por Chip: 7, Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor: 1,6 V, Dimensiones: 10 x 4 x 1.75mm, Longitud: 10mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +85 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: ULQ2003ADR2G
    • RawlPlug Anclaje metálico RBL2-M10/25W Acero M10, diámetro del orificio 16mm 90mm de largo, Tipo: Shield Anchor Loose Bolt, Grosor Máximo de la Fijación: 25mm
    • Texas Instruments Amplificador operacional TL082ACD 3MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 13V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: 70 °C, Raíl a Raíl: No, Ganancia de Tensión Típica: 106 dB, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 4.9mm
    • Texas Instruments Amplificador operacional TL082ACD 3MHZ SOIC, 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Doble, Tensión de Alimentación Dual Típica: ±12 V, ±15 V, ±5 V, ±9 V, Slew Rate Típico: 13V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: 70 °C, Raíl a Raíl: No, Ganancia de Tensión Típica: 106 dB, Dimensiones: 4.9 x 3.91 x 1.58mm, Longitud: 4.9mm