Vishay MOSFET SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127,5 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,007 Ω, 0,0027 Ω, 0,0036 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 1.5V, Serie: TrenchFET® Gen III
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Vishay MOSFET SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127,5 A, POWERPAK 1212-8S De 8 Pines
Specifications of Vishay MOSFET SiSS63DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 127,5 A, POWERPAK 1212-8S De 8 Pines | |
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