Onsemi MOSFET FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 De 3 Pines,, Config. Simple
About The Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Conteo de Pines: 3 + Tab, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 189 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.7mm
onsemi MOSFET FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Conteo de Pines: 3 + Tab, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 189 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 1V, Disipación de Potencia Máxima: 2,2 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Altura: 1.7mm, Longitud: 3.7mm
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
Onsemi MOSFET FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 De 3 Pines,, Config. Simple
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Specifications of Onsemi MOSFET FDT86113LZ, VDSS 100 V, ID 3,3 A, SOT-223 De 3 Pines,, Config. Simple | |
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