Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico, Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V, Disipación de Potencia Máxima: 160 W, Configuración: Puente trifásico, Tipo de Montaje: Montaje en PCB, Dimensiones: 107.5 x 45 x 17mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, MPN: FP50R12KT4_B11
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Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico
Specifications of Infineon Módulo IGBT, FP50R12KT4B11BOSA1, N-Canal, 50 A, 1.200 V, ECONO2, 23-Pines, 1MHZ Trifásico | |
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