Vishay MOSFET SIHF640L-GE3, VDSS 200 V, ID 18 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 180 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 130 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -20 V, +20 V, Longitud: 10.67mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C
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Vishay MOSFET SIHF640L-GE3, VDSS 200 V, ID 18 A, I2PAK (TO-262) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHF640L-GE3, VDSS 200 V, ID 18 A, I2PAK (TO-262) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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