Onsemi Transistor Bipolar De Baja Saturación, NSS60600MZ4G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab Pines, 1 MHz, Simple
About The 65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NSS60600MZ4T1G.onsemi Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 800 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 120, Tensión Base Máxima del Colector: -100 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Dimensiones: 6
onsemi Transistor bipolar de baja saturación, NSS60600MZ4G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab pines, 1 MHz, Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Disipación de Potencia Máxima: 800 mW, Ganancia Mínima de Corriente DC: 120, Tensión Base Máxima del Colector: -100 V dc, Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V, Dimensiones: 6.7 x 3.7 x 1.65mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C, MPN: NSS60600MZ4T1G
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Onsemi Transistor Bipolar De Baja Saturación, NSS60600MZ4G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab Pines, 1 MHz, Simple
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Specifications of Onsemi Transistor Bipolar De Baja Saturación, NSS60600MZ4G, PNP -6 A -60 V SOT-223 (SC-73), 3 + Tab Pines, 1 MHz, Simple | |
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