Vishay MOSFET SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3,6 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 2,2 Ω, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta mínima: 2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: -30 V, +30 V, Número de Elementos por Chip: 1, Altura: 4.83mm, Longitud: 10.67mm
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Vishay MOSFET SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3,6 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple
Specifications of Vishay MOSFET SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3,6 A, D2PAK (TO-263) De 3 Pines,, Config. Simple | |
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