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Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines,, Config. Simple

About The Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config.2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, Longitud: 5

Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, Longitud: 5.49mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C

Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET

Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines,, Config. Simple

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Specifications of Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 X 6 De 8 Pines,, Config. Simple

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Sick Fotocélula rectangular, Sistema Supresión de Fondo, alcance 20 mm → 950 mm, salida PNP, Conector Cableado, Estilo de Sensor: Bloque, Conexión Eléctrica: Conector M12, Tensión DC Máxima: 30V, Tipo de Terminal: Conector de 4 pines, Fuente de la luz: Luz Roja, Índice de Protección IP: IP67, Corriente Máxima: 100 mA, Tiempo de Respuesta: 0,0005 segundos, Material de la Carcasa: Plástico, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +60°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -30°C, Serie: G10, MPN: 1071686
    • Myrra Transformador de PCB, 24V dc, 1 Salida, Agujero pasante, Potencia 7.5W, Tensión nominal primaria: 120 → 370 V dc, 85 → 265 V ac, Temperatura mínima: -25°C, Temperatura máxima: +70°C, Frecuencia de funcionamiento mínima: 47Hz, Frecuencia de funcionamiento máxima: 63Hz, MPN: 47205
    • Sick Fotocélula rectangular, Sistema Supresión de Fondo, alcance 4 mm → 120 mm, salida PNP, Cable libre, IP68,, Estilo de Sensor: Bloque, Tensión DC Máxima: 30V, Tipo de Terminal: 4 cables, Fuente de la luz: Luz Roja, Índice de Protección IP: IP68, IP69K, Corriente Máxima: 100 mA, Tiempo de Respuesta: 0,0005 segundos, Material de la Carcasa: Otro, Temperatura de Funcionamiento Máxima: +60°C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Serie: W4-3 PTFE, MPN: 1028091
    • Phoenix Contact Conector circular de 12 vías macho, Tamaño del Conector: M12, MPN: 1553488
    • Microchip Amplificador operacional MCP6422-E/MS, 1,8 → 5,5 V 90kHz MSOP, 8 pines, Entrada / salida Rail-to-Rail, Tipo de Amplificador: Uso General, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Tipo de Fuente de Alimentación: Único, Slew Rate Típico: 0.05V/µs, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +125 °C, Temperatura de Funcionamiento Mínima: -40 °C, Dimensiones: 3 x 3 x 0.95mm, Longitud: 3mm
    • Nexperia Simple BZX84-B18,215 250 mW Montaje superficial 2.4V 1 SOT-23 3 Diodo zener Regulador de tensión 5%, Tensión Nominal de Zener: 2.4 V To 75V

    Nexperia Simple BZX84-B18,215 250 mW Montaje superficial 2.4V 1 SOT-23 3 Diodo zener Regulador de tensión 5%, Tensión Nominal de Zener: 2.4 V To 75V

    4V 1 SOT-23 3 Diodo zener Regulador de tensión 5%.Nexperia Simple BZX84-B18,215 250 mW Montaje superficial 2.

    • Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, Longitud: 5. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.

    • Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines

    Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines

    Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines, Tensión de Alimentación: 17V, Tiempo de Bajada: 19ns, Tiempo de Subida: 20ns, Topología: Aislamiento galvánico, Dependencia Partes Alta y Baja: Independiente, Polaridad: Inversión|Sin inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Altura: 1.

    • Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple

    2V, Disipación de Potencia Máxima: 74 W, Tensión Máxima Puerta-Fuente: +16 V, Longitud: 5.Infineon MOSFET BSC009NE2LS5IATMA1, VDSS 25 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines,, config. Simple, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 1,35 mΩ, Modo de Canal: Mejora, Tensión de umbral de puerta máxima: 2V, Tensión de umbral de puerta mínima: 1.49mm, Temperatura Máxima de Funcionamiento: +150 °C.

    • Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines

    Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines

    65mm.Infineon Driver de puerta MOSFET 1EDI60N12AFXUMA1, CMOS -9,4 A, 10 A. DSO 8 pines, Tensión de Alimentación: 17V, Tiempo de Bajada: 19ns, Tiempo de Subida: 20ns, Topología: Aislamiento galvánico, Dependencia Partes Alta y Baja: Independiente, Polaridad: Inversión|Sin inversión, Tipo de Montaje: Montaje superficial, Altura: 1.