STMicroelectronics MOSFET SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 de 3 pines, Tipo de Montaje: Montaje en orificio pasante, Resistencia Máxima Drenador-Fuente: 0,7 O, Tensión de umbral de puerta máxima: 4.9V
Componentes Electrónicos & Interconexión & Alimentación Eléctrica > Semiconductores > Semiconductores Discretos > MOSFET
STMicroelectronics MOSFET SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 De 3 Pines
Specifications of STMicroelectronics MOSFET SCTW40N120G2V, VDSS 1.200 V, ID 36 A, HiP247 De 3 Pines | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |